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今日点评

周末，科创50指数和上证指数编制方案出台，给今天的券商加上一把火。A股在券商的带动下冲高回落，市场量能突破放大达到了亿，北上资金全天净流入38亿，与午盘前40个亿的净流入相比较，午后资金是有所流出的。这主要是因为指数连续的上涨后，放量而没能维持突破，再加上券商冲高回落较大，指数留下较长上影，虽然整体资金还是流入较多，但后市反复是难免的，好在题材轮动热度尚存，只不过接下来炒作上更加注重节奏和题材的把控。

全天表现还是以半导体芯片领涨，带动了整个科技题材的活跃，第三代半导体材料氮化镓概念活跃度更大；此外，近期持续强势的消费电子，早间在指数冲高时分时一度跳水，午后指数下泄时，反而抗跌于指数，说明5G换机潮等中期逻辑依旧强劲。其实，半导体芯片、消费电子等科技股走强的背后，科技ETF重启以及上证指数重修对板块做多情绪的提振起到了较为明显的刺激影响，每次回落都是低位接收的机会。另外，今天最大的特点还有就是业绩预增股的集体表现，这也是这个时间段的必然结果，毕竟又到了半年报的密集预报期。整体来看，指数整体今天虽然放量，但有放量滞涨的可能，特别是沪指受阻主要压力位。指标短周期已经高位钝化多时，但很多题材指数处于相对强势位置，因此，指数面临震荡，题材轮动性的局面会出现。策略上，节前量能释放有限，更多还是要重个股轻指数的炒作模式。操作上，震荡市等回落低吸才是良策。方向上，建议投资者中长线配置券商、大消费、创蓝筹等核心资产，中短期坚定消费电子、特斯拉、锂电池等板块。

风口研报（期）

国家存储器基地项目二期开工！这些概念股受益周末《科创板日报》传来消息：6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设，二期规划产能20万片/月。据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地项目于年12月30日开工，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂，总投资亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高。目前我国在存储产业链的设计、制造、设备、封测等多个环节逐步突破，以长江存储、合肥长鑫为代表的本土存储器厂商在产品技术和市场拓展方面的不断突破，本土主流存储器产业链投资机遇凸显。随着国家存储器基地项目二期开工，长江存储的闪存量产，半导体国产替代有望加速，相关概念股有望受益。概念股解读：兆易创新拟定增募资不超过43.24亿元，用于DRAM芯片研发项目及补充流动资金，项目实施后将成为国内首家覆盖全存储产品线设计能力的芯片企业。公司是全球领先的存储器芯片供应商，公司联合合肥长鑫积极布局DRAM领域，为DRAM国产化保驾护航。深科技全资子公司沛顿科技是国内最大的高端DRAM封测企业，客户包括全球第一大独立内存制造商金士顿、希捷、西部数据等，是国内具有从集成电路高端DRAM/Flash晶圆封测到模组、成品生产完整产业链的企业。北京君正收购的北京硅成（ISSI）的SRAM和DRAM产品收入分别居全球第2、第7。紫光国微DRAM存储器芯片和内存模组已经形成完整的产品系列，在服务器、PC、机顶盒、电视机等方面的出货稳步增加，进一步强化了国产DRAM存储器供应商的领导地位。存储器芯片设计服务业务客户涵盖美国、日本和台湾地区的知名半导体公司，测试服务能力也达到了世界主流水平。紫光集团旗下长江存储64层固态硬盘预计将于今年三季度上市，这意味着长江存储在良率和产能方面取得了具有商业价值的实质进展，相关合作公司值得


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